Memoria Ram Kingston 8GB DDR4 2666MHz, SODIMM, Unbuffered, 1.2V
DESCRIPCIÓN
Este documento describe el KVR26S19S6 / 8 de ValueRAM con 1G x 64 bits (8 GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (síncrona DRAM), 1Rx16, módulo de memoria, basado en cuatro 1G x 16 bits Componentes FBGA. El SPD está programado para JEDEC latencia estándar DDR4-2666 sincronización de 19-19-19 a 1,2 V. Este SODIMM de 260 pines utiliza dedos de contacto dorados. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:
• CL (IDD): 19 ciclos
• Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 45.75ns (min.)
• Actualizar a activo / Actualizar tiempo de comando (tRFCmin): 350ns (min.)
• Tiempo activo de fila (tRASmin): 32ns (min.)
• Clasificación UL: 94 V - 0
• Temperatura de funcionamiento: 0 C a 85 C
• Temperatura de almacenamiento: -55 C a 100 C
CARACTERÍSTICAS
• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación nominal y dinámica (ODT) para señales de datos, luz estroboscópica y máscara
• Auto actualización automática de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en la matriz
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia (SPD) en serie I2 incorporada
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Chop de ráfaga fija (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
• Tipología fly-by
• Bus de dirección y comando de control terminado
• PCB: Altura 1,18 "(30,00 mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos
• Ancho: 69,6 mm
• Altura: 30 mm
• Velocidad de memoria: 2666 MHz
