Fabricante: Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS: Cumple
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V
Id - Corriente de drenaje continua: 49 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 23 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
Qg - Carga de puerta: 42 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Marca: Infineon Technologies
