Pack de 2 MOSFETs IRFZ44NPBF de Infineon Technologies, RoHS

Fabricante: Infineon Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RoHS: Cumple Tecnología: Si Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-220-3 Polaridad del transistor: N-Channel Número de canales: 1 Channel Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V Id - Corriente de drenaje continua: 49 A Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 23 mOhms Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V Qg - Carga de puerta: 42 nC Temperatura de trabajo mínima: - 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 175 C Marca: Infineon Technologies